Pat

J-GLOBAL ID：201803018198888267

ダイヤモンドコンタクト構造とこれを用いた電子素子

Inventor： 白石 賢二 ,  嘉数 誠 ,  宮崎 誠一 ,  大石 敏之 ,  大島 孝仁
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人佐賀大学
Agent (2)： 安部 誠 ,  大井 道子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016161890
Publication number (International publication number)：2018032662
Application date： Aug. 22, 2016
Publication date： Mar. 01, 2018
Summary：

【課題】ノーマリーオフ動作の実現に有用な新規なダイヤモンドコンタクト構造と、かかる構造を利用した電子素子とを提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板10と第1酸化物層12とを備えるダイヤモンドコンタクト構造1が提供される。ダイヤモンド基板10は、自然正孔を含み、互いに離間する第1p型領域P1と第2p型領域P1とを少なくとも表面に備えており、第1酸化物層12は、これらp型領域P1,P2間に備えられる。また、第1酸化物層12は、ダイヤモンドの価電子帯よりも高エネルギー側に最低空軌道を有する第1金属酸化物からなり、第1酸化物層12に接するダイヤモンド基板10の表面は、自然正孔が含まれない非p型領域である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

自然正孔を含み、互いに離間する第1p型領域と第2p型領域とを少なくとも表面に備えるダイヤモンド基板と、 前記第1p型領域と前記第2p型領域との間の前記ダイヤモンド基板上に備えられ、ダイヤモンドの価電子帯よりも高エネルギー側に最低空軌道を有する第1金属酸化物からなる第1酸化物層と、 を備え、 前記第1酸化物層に接する前記ダイヤモンド基板の表面は、前記自然正孔が含まれない非p型領域である、ダイヤモンドコンタクト構造。

IPC (5)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L21/283 C ,  H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/316 X

F-Term (41)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AC01 ,  5F140BA04 ,  5F140BA20 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BG28 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ20 ,  5F140BK08 ,  5F140BK11 ,  5F140BK30 ,  5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-035398   Applicant：日本電信電話株式会社
• 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-047025   Applicant：学校法人早稲田大学
• ダイヤモンド膜の製造方法およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-042603   Applicant：日本電信電話株式会社
• 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-217679   Applicant：東京瓦斯株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• "Normally-off HfO2-gated diamond field effect transistors"
• "Control of normally on/off characteristics in hydrogenated diamond metal-insulator-semiconductor fi
• "Normally-off HfO2-gated diamond field effect transistors"