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J-GLOBAL ID：200903031534615815

水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法

Inventor： 石倉 威文 ,  山下 敏 ,  川原田 洋 ,  外園 明
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社
Agent (1)： 沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997217679
Publication number (International publication number)：1998125932
Application date： Aug. 12, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ホモエピタキシャルダイヤモンドまたはヘテロエピタキシャルダイヤモンドもしくは表面を平坦化した多結晶ダイヤモンドの表面を水素原子で終端2した水素終端ダイヤモンド1の表面に、金または白金からなるドレインオーミックコンタクト4およびソースオーミックコンタクト3と、酸化珪素(SiOX:1≦X≦2)からなる絶縁層5と、該絶縁層上に設けたゲート電極6を形成するとともに、素子形成領域以外の表面を酸素終端などの非水素終端させた絶縁領域23とし、素子分離した水素終端ダイヤモンドMISFET。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面を水素終端した領域にドレインおよびソースならびに該ドレインとソース間に絶縁層を介してゲート電極を設けたことを特徴とする水素終端ダイヤモンドMISFET。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (9)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子および該半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-064035   Applicant：東京瓦斯株式会社
• ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-241709   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 酸化物カプセル化材料の水素化の強化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-266852   Applicant：ゼロックスコーポレイション