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J-GLOBAL ID:201803018671329220

磁気センサおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016209854
Publication number (International publication number):2018073913
Application date: Oct. 26, 2016
Publication date: May. 10, 2018
Summary:
【課題】垂直磁気異方性を有する複数の磁気抵抗素子が同一チップ内に形成され、各磁気抵抗素子が備える固定層が互いに逆の向きに磁化された磁気センサにおいて、製造工程を簡略化する。【解決手段】第1磁気抵抗素子2aおよび第2磁気抵抗素子2bは、それぞれ、一面11に垂直な磁化容易軸を有し、磁化方向が固定された固定層21と、磁化方向が可変とされた自由層23と、非磁性体で構成された中間層22と、を備え、固定層21は、第1強磁性層211と、第2強磁性層213と、第1強磁性層211と第2強磁性層213との間に配置された非磁性層212と、を備え、第1磁気抵抗素子2aが備える第1強磁性層211の磁化量は、第1磁気抵抗素子2aが備える第2強磁性層213の磁化量よりも大きく、第2磁気抵抗素子2bが備える第1強磁性層211の磁化量は、第2磁気抵抗素子2bが備える第2強磁性層213の磁化量よりも小さい。【選択図】図3
Claim (excerpt):
基板(1)と、 前記基板の一面(11)に形成された第1磁気抵抗素子(2a)および第2磁気抵抗素子(2b)と、を備え、 前記第1磁気抵抗素子および前記第2磁気抵抗素子は、それぞれ、 前記一面に垂直な磁化容易軸を有し、磁化方向が固定された固定層(21)と、 磁化方向が可変とされた自由層(23)と、 非磁性体で構成され、前記固定層と前記自由層との間に配置された中間層(22)と、を備え、 前記固定層は、第1強磁性層(211)と、第2強磁性層(213)と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に配置された非磁性層(212)と、を備え、 前記第1磁気抵抗素子が備える前記第1強磁性層の磁化量は、前記第1磁気抵抗素子が備える前記第2強磁性層の磁化量よりも大きく、 前記第2磁気抵抗素子が備える前記第1強磁性層の磁化量は、前記第2磁気抵抗素子が備える前記第2強磁性層の磁化量よりも小さい磁気センサ。
IPC (3):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/12
FI (3):
H01L43/08 Z ,  G01R33/06 R ,  H01L43/12
F-Term (29):
2G017AA02 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017BA09 ,  5F092AA11 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092BB05 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC42 ,  5F092BE06 ,  5F092CA06 ,  5F092CA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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