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J-GLOBAL ID：201803019983817171

加工方法及び加工装置

Inventor： 久保田 章亀
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学 ,  株式会社新菱
Agent (5)： 有吉 修一朗 ,  森田 靖之 ,  筒井 宣圭 ,  遠藤 聡子 ,  梶原 圭太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018057261
Publication number (International publication number)：2018125549
Application date： Mar. 23, 2018
Publication date： Aug. 09, 2018
Summary：

【課題】ダイヤモンド等を加工するドライ研磨にて、簡易な構成でありながら高能率かつ高精度な加工を実現可能な加工方法及び加工装置を提供する。【解決手段】加工装置1は、サファイア定盤2と、単結晶ダイヤモンド3を保持する試料ホルダー4を有している。また、加工装置1は、サファイア定盤2と単結晶ダイヤモンド3との接触部位にオゾンガスを供給するオゾン供給部5を有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属酸化物で構成された加工部材を被加工物と接触させ、接触部位にアルカリ性溶液を含有するオゾンガスを供給すると共に、前記加工部材を前記被加工物に接触させた状態で変位させる工程を備え、 前記加工部材は、アルミナセラミックスまたはSiO2を主成分とするガラスのうちいずれか1つからなり、 前記被加工物は、GaNからなる 加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 ,  B24B 1/00

FI (3)：

H01L21/304 621Z ,  B24B1/00 A ,  H01L21/304 622W

F-Term (16)：

3C049AA07 ,  3C049AC01 ,  3C049CA01 ,  3C049CA05 ,  3C049CB05 ,  5F057AA03 ,  5F057AA12 ,  5F057AA23 ,  5F057BB06 ,  5F057BB09 ,  5F057BB12 ,  5F057CA11 ,  5F057DA01 ,  5F057FA12 ,  5F057FA50 ,  5F057GA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-237494   Applicant：松下電器産業株式会社