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J-GLOBAL ID：201803020522841869

六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法

Inventor： 川村 史朗 ,  遊佐 斉 ,  谷口 尚
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013223694
Publication number (International publication number)：2015086086
Patent number：6253140
Application date： Oct. 28, 2013
Publication date： May. 07, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 六方晶窒化タングステン粉末からなる原料粉末を高圧装置内に配置する工程と、前記原料粉末に対して0.98MPa以上7.7GPa以下の範囲での加圧と1200°C以上2200°C以下の範囲での加熱を同時に行う工程と、を有することを特徴とする六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/58 ( 200 6.01) ,  C01B 21/06 ( 200 6.01) ,  C01G 41/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

C04B 35/58 ,  C01B 21/06 A ,  C01G 41/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭窒化タングステン及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-193561   Applicant：林宏爾, 東京タングステン株式会社
• 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-155185   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• 六方晶窒化タングステンの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-023983   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高圧下複分解反応における窒化タングステン結晶合成
• The N-W (Nitrogen-Tungsten) System
• Synthesis, Crystal Structure, and Elastic Properties of Novel Tungsten Nitrides