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J-GLOBAL ID：201901011020184660   Update date: Mar. 28, 2024

Naito Muneyuki

ナイトウ ムネユキ | Naito Muneyuki
Research field  (2)： Crystal engineering ,  Nanomaterials
Research theme for competitive and other funds  (8)：
  • 2022 - 2025 Active control of fracture and strength for oxide materials using electron beam induced quantum dot array
  • 2018 - 2021 Fabrication of nanoholes in the ceramic substrates by reactive solid-state dewetting of metal thin films
  • 2014 - 2018 Structural characterization of coating films for cathode materials in all-solid-state batteries
  • 2013 - 2016 Development of container materials for disposal of high-level radioactive waste
  • 2010 - 2013 Three Dimensional Micro-structure Formation on Si Surfaces Using Surface-Diffusion-Driven Shape Transformation
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Papers (44)：
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MISC (8)：
  • 早瀬弘基, 長尾克紀, 中井達也, 細見勇登, 内藤宗幸, 青木珠緒, 梅津郁朗. 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の赤外吸収と光電気伝導利得. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. ROMBUNNO.16p-B5-7
  • 中井達也, 内藤宗幸, 小林勇輝, 長尾克紀, 青木珠緒, 杉村陽, 梅津郁朗. 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の中赤外光吸収スペクトルの結晶構造依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 62nd. ROMBUNNO.12A-A18-13
  • 中井達也, 内藤宗幸, 小林勇輝, 長尾克紀, 青木珠緒, 杉村陽, 梅津郁朗. 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と電気伝導特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 75th. ROMBUNNO.18A-A25-11
  • 小柴悠資, 山田涼, 内藤宗幸, 青木珠緒, 杉村陽, 梅津郁朗. パルスレーザーメルティング法によりMnを過飽和ドープしたSiの電気伝導特性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 61st. ROMBUNNO.19A-D1-2
  • 内藤宗幸, 石丸学. 高ドーズ鉄イオン注入シリコンの再結晶化過程. まてりあ 47 (2008) 640. 2008
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Professional career (1)：
  • 博士(工学) (大阪大学)
Work history (2)：
  • 2020/04 - 現在 KONAN UNIVERSITY Faculty of Science and Engineering Professor
  • 2013/04 - 2020/03 KONAN UNIVERSITY Faculty of Science and Engineering Associate Professor
Association Membership(s) (3)：
日本顕微鏡学会 ,  応用物理学会 ,  日本化学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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