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J-GLOBAL ID：201902291048915964   Reference number：19A2919067

Formation of Crystallographically Oriented Metastable Mg_1.8Si in Mg Ion-Implanted Si

Mgイオン注入Si中の結晶学的に配向した準安定Mg_1.8Siの形成【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Kobayashi Yuki (Department of Chemistry, Konan University, Hyogo, Japan) ,  Naito Muneyuki (Department of Chemistry, Konan University, Hyogo, Japan) ,  Sudoh Koichi (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Gentils Aurelie (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France) ,  Bachelet Cyril (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France) ,  Bourcois Jerome (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France)
Material： Crystal Growth & Design  (Cryst Growth Des)
Volume： 19  Issue： 12  Page： 7138-7142  Publication year： 2019 
JST Material Number： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Metastable hexagonal Mg-Si was...

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Thesaurus term： high temperature ,  *ion implantation ,  hexagonal system ,  phase stability ,  *silicon ,  precipitate (phase separation) ,  single crystal ,  internal stress ,  transmission electron microscope ,  *Crystallography ,  electron diffraction ,  *Magnesium ,  electron microscopy ,  micro structure ,  *magnesium ion
Semi thesaurus term： 結晶方位関係 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： Mgイオン ,  注入 ,  Si ,  結晶学 ,  配向