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J-GLOBAL ID：201902216539786890   Reference number：19A2619288

GaO_xを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性

Author (4)： JOKO MAMORU (大阪大 大学院) ,  HAYASHI YUSUKE (大阪大 大学院) ,  TOHEI TETSUYA (大阪大 大学院) ,  SAKAI AKIRA (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.20a-F211-10  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  communication exchanging ,  *circuit component ,  array circuit ,  memory element ,  *variation ,  electrical characteristic ,  crossbar switching
Semi thesaurus term： memory array ,  *memristor ,  *resistance change

JST classification (2)： Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (2)： 開発 ,  抵抗変化