Art

J-GLOBAL ID：201902230983718062   Reference number：19A2843867

Sublattice Reversal Epitaxy on High-Index Substrates for Novel Planar-Type Nonlinear Optical Devices

高指数面上の副格子交換エピタキシーと面型非線形光デバイス

Author (5)： KITADA TAKAHIRO (徳島大学大学院社会産業理工学研究部) ,  LU Xiangmeng (徳島大学大学院社会産業理工学研究部) ,  MINAMI YASUO (徳島大学大学院社会産業理工学研究部) ,  KUMAGAI NAOTO (産業技術総合研究所) ,  MORITA KEN (千葉大学大学院工学研究院)
Material： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
Volume： 68  Issue： 10  Page： 739-744(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sublattice ,  *epitaxy ,  *reversal ,  substrate (plate) ,  *refractive index ,  *gallium arsenide ,  aluminum compound ,  *aluminum arsenide ,  *MBE growth ,  *semiconductor ,  Gallium ,  *nonlinear optics ,  *optical element ,  *light emission ,  *solid state device ,  terahertz wave ,  high index ,  surface emitting ,  light-emitting device
Semi thesaurus term： terahertz ,  optical device ,  light-emitting device ,  molecular beam epitaxy

Author keywords (1)： GaAs AlAs Ge Sublattice reversal Antiphase domain Molecular beam epitaxy Nonlinear optics Coupled multilayer cavity Terahertz Surface emission

JST classification (4)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Nonlinear optics  (BD05000T) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (11)：

• 1) R. W. Boyd, “Nonlinear optics”, 3rd ed., pp.84-88 (2008) Academic Press.
• 2) N. Yamada, Y. Ichimura, S. Nakagawa, Y. Kaneko, T. Takeuchi and N. Mikoshiba “Second-harmonic generation in vertical-cavity surface-emitting laser”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.35, Part 1, No.5A, pp.2659-2664 (1996).
• 3) S. Koh, T. Kondo, Y. Shiraki and R. Ito, “GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal epitaxy and its application to nonlinear optical devices”, Journal of Crystal Growth, Vol.227-228, pp.183-192 (2001).
• 4) T. Matsushita, I. Ohta and T. Kondo, “Quasi-phasematched parametric fluorescence in a periodically inverted GaP waveguide”, Applied Physics Express, Vol.2, No.6, 061101 (2009).
• 5) X. M. Lu, N. Kumagai, Y. Minami and T. Kitada, “Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates”, Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 015501 (2018).

Terms in the title (5)： 指数 ,  副格子 ,  エピタキシー ,  非線形 ,  光デバイス