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J-GLOBAL ID：201902233442312047   Reference number：19A2620216

TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の2DEG側界面電荷への影響

Author (13)： OKITA HIROMASA (東京工大) ,  HOSHII TAKUYA (東京工大) ,  MATSUHASHI TAIHEI (東京工大) ,  SANYAL Indraneel (國立中央大) ,  CHEN Yu-Chih (國立中央大) ,  JU Ying-Hao (國立中央大) ,  NAKAJIMA AKIRA (産業技術総合研) ,  NISHIZAWA SHIN'ICHI (九大) ,  OHASHI HIROMICHI (東京工大) ,  KAKUSHIMA KUNIYUKI (東京工大) ,  WAKABAYASHI HITOSHI (東京工大) ,  CHYI Jen-Inn (國立中央大) ,  TSUTSUI KAZUO (東京工大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.21a-E301-12  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： two dimensional electron gas ,  *aluminum compound ,  *gallium nitride ,  *heterojunction ,  thin film growth ,  surface charge ,  semiconductor thin film ,  gallium compound ,  nitride ,  compound semiconductor ,  FET ,  crystal growth
Semi thesaurus term： AlGaN ,  *AlGaN/GaN ,  double heterojunction ,  interfacial charge

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Substance index (1)： Triethylgallium

Terms in the title (7)： TEG ,  AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  成長 ,  2DEG ,  界面電荷