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J-GLOBAL ID：201902233881402146   Reference number：19A1873303

First-principles calculation of X-ray photoelectron spectroscopy binding energy shift for nitrogen and phosphorus defects in 3C-silicon carbide

3C-炭化ケイ素中の窒素及びリン欠陥に対するX線光電子分光法結合エネルギーシフトの第一原理計算

Author (3)： MATSUSHIMA Naoki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  MATSUSHIMA Naoki (SUMCO Corp., Saga, JPN) ,  YAMAUCHI Jun (Keio Univ., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 6  Page： 061005.1-061005.10  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  nitrogen ,  phosphorus ,  *lattice defect ,  *X-ray photoelectron spectroscopy ,  *binding energy ,  energy ,  variation ,  calculation ,  density functional method ,  functional ,  potential ,  energy gap ,  energy level
Semi thesaurus term： *3C-SiC ,  energy shift ,  first principles calculation ,  generalized gradient approximation ,  formation energy ,  hybrid functional ,  local potential ,  in-gap states ,  formation energy

JST classification (2)： Electron spectroscopy  (BM09060K) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (38)：

• A. Schöner, M. Krieger, G. Pensl, M. Abe, and H. Nagasawa, Chem. Vap. Deposition 12, 523 (2006).
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• H. Yano, H. Nakano, H. Mikai, T. Hatayama, Y. Ueda, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 90, 042102 (2007).
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• K. Seki, Alexander, S. Harada, T. Ujihara, and Y. Takeda, J. Cryst. Growth 360, 176 (2012).

Terms in the title (7)： 3C-炭化ケイ素 ,  窒素 ,  リン ,  欠陥 ,  X線光電子分光法 ,  エネルギーシフト ,  第一原理計算