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J-GLOBAL ID：201902234240757636   Reference number：19A2114504

Vacancy-type defects in GaN-based power device structure - defect characterization in ion implanted GaN and Al₂O₃/GaN -

GaNベースパワーデバイス構造における空格子点型欠陥 イオン注入GaNおよびAl_2O_3/GaNにおける欠陥特性評価【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Uedono Akira (Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Science, University of Tsukuba, Japan) ,  Egger Werner (Universitaet der Bundeswehr Muenchen, Institut fuer Angewandte Physik und Messtechnik, Germany) ,  Hugenschmidt Christoph (Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Ishibashi Shoji (CD-FMat, AIST, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Vacancy-type defects in Mg-imp...

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Thesaurus term： *characterization ,  cluster ,  magnesium ,  positron beam ,  device structure ,  optimization ,  *gallium nitride ,  *ion implantation ,  complex(substance) ,  *gallium ,  interface(surface) ,  annealing(heat treatment) ,  time dependence
Semi thesaurus term： *パワーデバイス ,  トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (6)： GaN ,  パワーデバイス ,  空格子点 ,  欠陥 ,  イオン注入 ,  特性評価