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J-GLOBAL ID：201902240590725242   Reference number：19A2157313

Direct bonding of lithium tantalate to silicon at room temperature by using a self-sputtered bonding method

自己スパッタ結合法を用いた室温でのシリコンへのタンタル酸リチウムの直接接合

Author (1)： UTSUMI Jun (Mitsubishi Heavy Ind. Machine Tool Co., Ltd., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SG  Page： SGGC06.1-SGGC06.4  Publication year： Jul. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： room temperature ,  *wafer ,  *lithium tantalate ,  *bonding and joining ,  thermal expansion coefficient ,  piezoelectric material ,  temperature compensation ,  *surface acoustic wave device ,  surface ,  etching ,  semiconductor thin film ,  crack ,  tensile test ,  adhesion force ,  transmission electron microscope ,  amorphous state ,  layer ,  *direct bonding ,  substrate surface ,  tensile crack ,  surface-activated bonding ,  interlayer ,  *Si wafer ,  silicon thin film
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  surface acoustic wave device ,  アルゴンプラズマ ,  silicon thin film ,  亀裂開口 ,  adhesion force

JST classification (1)： Bonding  (WC07020V)

Reference (50)：

• J. Hayashi, K. Yamaya, M. Suzuki, S. Kakio, H. Suzaki, T. Yonai, K. Kishida, and J. Mizuno, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 07LD21 (2018).
• C. K. Campbell, Surface Acoustic Wave Devices for Mobile and Wireless Communications (Academic, San Diego, 1998), p. 237.
• T. E. Parker and H. Wichansky, J. Appl. Phys. 50, 1360 (1979).
• K. Yamanouchi and S. Hayama, IEEE Trans. Sonics Ultrason. SU-31, 51 (1984).
• K. Asai, M. Hikita, A. Isobe, K. Sakiyama, and T. Tada, Proc. IEEE. Ultrason. Symp., 2000, p. 235.

Terms in the title (6)： 自己 ,  スパッタ ,  室温 ,  シリコン ,  タンタル酸リチウム ,  直接接合