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J-GLOBAL ID：201902243022464202   Reference number：19A1483751

Critical Role of W Insertion Layer Sputtering Condition for Reference Layer on Magnetic and Transport Properties of Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junction

垂直異方性磁気トンネル接合の磁気および輸送特性に関する参照層に対するW挿入層スパッタリング条件の重要な役割【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Honjo Hiroaki (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ikeda Shoji (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato Hideo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Yasuhira Mitsuo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh Tetsuo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 55  Issue： 7  Page： ROMBUNNO.3400904.1-4  Publication year： 2019 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We investigated an effect of s...

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Thesaurus term： *magnetics ,  magnetic property ,  argon ,  *sputtering ,  *anisotropy ,  platinum ,  ferrimagnetism ,  multilayer ,  interdiffusion ,  thickness of strata
Semi thesaurus term： 相互混合 ,  強磁性結合 ,  トンネル磁気抵抗 ,  *輸送特性 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Magnetoelectric devices  (NC03100X) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Terms in the title (8)： 垂直 ,  異方性 ,  磁気トンネル接合 ,  磁気 ,  輸送特性 ,  参照 ,  スパッタリング ,  役割