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J-GLOBAL ID：201902244493760045   Reference number：19A0796593

Electrical Characteristic of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors With Recess Gate Structure

RECESSゲート構造を持つAlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタの電気特性【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Shrestha Niraj Man (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Yiming (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Suemitsu Tetsuya (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Samukawa Seiji (Center for mmWave Smart Radar System and Technologies, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 66  Issue： 4  Page： 1694-1698  Publication year： 2019 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： AlGaN/GaN high-electron-mobili...

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Thesaurus term： surface roughness ,  mutual conductance ,  *mobility(ratio) ,  channel ,  *transistor ,  deep level ,  drift(migration) ,  carrier mobility ,  current density ,  carrier density
Semi thesaurus term： 閾値電圧 ,  寄生抵抗 ,  静電ポテンシャル ,  自己加熱 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  移動度 ,  トランジスタ ,  電気特性