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J-GLOBAL ID：201902250644179292   Reference number：19A0414867

SiC基板-グラフェン界面に形成したスズ単原子層の電子状態

Author (13)： KOMORI FUMIO (東大 物性研) ,  IIMORI TAKUSHI (東大 物性研) ,  MIYAMACHI TOSHIO (東大 物性研) ,  YAJI KOICHIRO (東大 物性研) ,  NAKASHIMA SHUHEI (東大 物性研) ,  HAYASHI SHINGO (九大 大学院工学研究院) ,  VISIKOVSKY Anton (九大 大学院工学研究院) ,  KAJIWARA TAKASHI (九大 大学院工学研究院) ,  NAKATSUJI KAN (東京工大) ,  SHIRASAWA TETSURO (産業技術総合研) ,  MASE KAZUHIKO (物質構造研 放射光科学研究施設) ,  MASE KAZUHIKO (総合研究大学院大) ,  TANAKA SATORU (九大 大学院工学研究院)
Material： KEK Progress Report (Web)  (KEK Prog Rep (Web))
Issue： 2018-7  Page： ROMBUNNO.262 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 2018 
JST Material Number： U0583A  ISSN： 1344-6320  Document type： Article
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Reference (2)：

• K. Nakatsuji et al., Phys. Rev. B84 (2011) 035436.
• S. Hayashi et al., Appl. Phys. Exp. 11 (2018) 015202

Terms in the title (6)： SiC基板 ,  グラフェン ,  界面 ,  スズ ,  単原子層 ,  電子状態