Art

J-GLOBAL ID：201902259086993353   Reference number：19A1374459

ミストCVD法によるn型およびp型ZnO薄膜作製への挑戦

Author (13)： NISHI MISAKI (高知工科大) ,  LIU Li (高知工科大) ,  SATO SHOTA (高知工科大) ,  RUTTHONGJAN Phimolphan (高知工科大) ,  SAKAMOTO MASAHITO (高知工科大) ,  UEDA MARIKO (高知工科大) ,  YASUOKA TATSUYA (高知工科大) ,  HASEGAWA RYO (高知工科大) ,  TAGASHIRA YUKI (高知工科大) ,  OZAKI TAMAKO (高知工科大) ,  DANG Giang T. (総研) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工科大) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (総研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.10a-S011-5  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  *thin film ,  gallium ,  lithium ,  doping ,  X-ray diffraction ,  electrical property
Semi thesaurus term： *mist chemical vapor deposition method ,  *ZnO thin film ,  XRD analysis ,  electrical property

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (3)： ミストCVD法 ,  ZnO薄膜 ,  作製