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J-GLOBAL ID：201902261855209875   Reference number：19A2686134

Switching characteristics of nonvolatile memory using GaN/AlN resonant tunneling diodes

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発性メモリのスイッチング特性

Author (3)： NAGASE Masanori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI Tokio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 9  Page： 091001.1-091001.6  Publication year： Sep. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *aluminum nitride ,  *resonant tunneling diode ,  *nonvolatile memory ,  *circuit characteristic ,  velocity ,  ratio ,  pulse duration ,  electrical resistivity ,  quantum well ,  electronic transition ,  *switching behavior ,  intersubband transition
Semi thesaurus term： GAN ,  AlN ,  action velocity ,  on-off ratio

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： GaN ,  AlN ,  共鳴トンネルダイオード ,  不揮発性メモリ ,  スイッチング特性