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J-GLOBAL ID：201902263059502268   Reference number：19A1902581

Comparison of picosecond electron dynamics in isolated and clustered Si quantum dots deposited on a semiconductor surface

半導体表面上に堆積した孤立およびクラスタ化Si量子ドットにおけるピコ秒電子動力学の比較【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Fukumoto Keiki (High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki 305-0801 Japan) ,  Seyhan Ayse (Nigde Omer Halisdemir University, Nanotechnology Application and Research Center, 51240 Nigde, Turkey) ,  Onda Ken (Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Oda Shunri (Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Koshihara Shin-ya (Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 115  Issue： 5  Page： 053105-053105-5  Publication year： 2019 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Semiconductor quantum dots (QD...

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Thesaurus term： *clustering ,  positive hole ,  semiconductor device ,  *picosecond ,  carrier recombination ,  carrier lifetime ,  space resolving power ,  interaction ,  *quantum dot ,  *silicon ,  photoelectron ,  optical pumping
Semi thesaurus term： ナノ空間 ,  超高速 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： 半導体表面 ,  堆積 ,  クラスタ化 ,  Si ,  量子ドット ,  ピコ秒 ,  電子動力学