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J-GLOBAL ID：201902266363006798   Reference number：19A1873429

Characterization of the electrical properties of an InN epilayer using terahertz time-domain spectroscopic ellipsometry

テラヘルツ時間領域分光偏光解析法を用いたInNエピ層の電気的性質のキャラクタリゼーション

Author (6)： MORINO Kenta (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKAWA Shingo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  FUJII Takashi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MOURI Shinichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SC  Page： SCCB22.1-SCCB22.4  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *time domain spectroscopy ,  *indium nitride ,  compound semiconductor ,  layer ,  film thickness ,  *carrier density ,  *carrier mobility ,  MBE growth ,  frequency dependence ,  electronic state ,  *ellipsometry ,  epitaxial layer ,  surface electronic state
Semi thesaurus term： *terahertz time domain spectroscopy ,  RF-MBE ,  spectroscopic ellipsometry

JST classification (1)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Reference (31)：

• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
• V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
• Y. Saito, H. Harima, E. Kurimoto, T. Yamaguchi, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Status Solidi B 234, 796 (2002).
• T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
• K. Xu and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 83, 251 (2003).

Terms in the title (7)： テラヘルツ ,  時間領域 ,  分光偏光解析法 ,  InN ,  エピ層 ,  電気的性質 ,  キャラクタリゼーション