Art

J-GLOBAL ID：201902270563688552   Reference number：19A1873404

Metal-covered van der Waals epitaxy of gallium nitride films on graphitic substrates by ECR-MBE

ECR-MBEによるグラファイト基板上の窒化ガリウム膜の金属被覆van der Waalsエピタクシー

Author (6)： OOE Ukyo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MOURI Shinichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKAWA Shingo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ABAS Faizulsalihin Bin (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SC  Page： SC1053.1-SC1053.5  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electron cyclotron resonance plasma ,  MBE growth ,  *epitaxy ,  *gallium nitride ,  Graphite ,  scanning electron microscope ,  surface structure ,  Raman spectrum ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  plasma MBE ,  plasma ,  structure
Semi thesaurus term： *van der Waals epitaxy ,  GAN ,  SEM (microscope)

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (35)：

• A. Koma, K. Sunouchi, and T. Miyajima, Microelectron. Eng. 2, 129 (1984).
• A. Koma, J. Cryst. Growth 201, 236 (1999).
• K. Chung, C.-H. Lee, and G.-C. Yi, Science 330, 6004 (2010).
• Y. Kobayashi, K. Kumakura, T. Akasaka, and T. Makimoto, Nature 484, 223 (2012).
• J. Kim, C. Bayram, H. Park, C.-W. Cheng, C. Dimitrakopoulos, J. A. Ot, K. B. Reuter, S. W. Bedell, and D. K. Sadana, Nat. Commun. 5, 4836 (2014).

Terms in the title (6)： MBE ,  グラファイト ,  窒化ガリウム ,  金属被覆 ,  VAN ,  エピタクシー