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J-GLOBAL ID：201902273451496469   Reference number：19A2745031

Investigation of trap induced power drift on 0.15 μm GaN technology after aging tests

エージング試験後の0.15μm GaN技術におけるトラップ誘起パワードリフトの研究【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： Magnier F. (United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France) ,  Magnier F. (Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France) ,  Lambert B. (United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France) ,  Chang C. (United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France) ,  Curutchet A. (Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France) ,  Labat N. (Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France) ,  Malbert N. (Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
Material： Microelectronics Reliability  (Microelectronics and Reliability)
Volume： 100-101  Page： Null  Publication year： 2019 
JST Material Number： C0530A  ISSN： 0026-2714  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This paper deals with a power ...

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Thesaurus term： electrical property ,  rate theory ,  high temperature ,  electric power ,  *drift(migration) ,  *gallium nitride ,  pulse ,  characterization
Semi thesaurus term： トラップ密度 ,  出力電力 ,  高周波電力 ,  逆バイアス ,  寄生効果 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： エージング ,  試験 ,  GaN ,  トラップ ,  誘起 ,  パワー ,  ドリフト ,  研究