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J-GLOBAL ID：201902278471017578   Reference number：19A1375085

ミストCVDにおける薄膜成長メカニズム

Author (13)： KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工科大) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工大 総研) ,  NISHI MISAKI (高知工科大) ,  LIU Li (高知工科大) ,  SAKAMOTO MASAHITO (高知工科大) ,  RUTTHONGJAN Phimolphan (高知工科大) ,  SATO SHOTA (高知工科大) ,  UEDA MARIKO (高知工科大) ,  YASUOKA TATSUYA (高知工科大) ,  HASEGAWA RYO (高知工科大) ,  TAGASHIRA YUKI (高知工科大) ,  OZAKI TAMAKO (高知工科大) ,  DANG Giang T. (高知工科大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.10p-W241-7  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  mist (pollutant) ,  *thin film growth ,  *mechanism ,  thin film ,  *mist CVD ,  ZnO film
Semi thesaurus term： ZnO thin film ,  *growth mechanism

JST classification (1)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Terms in the title (3)： ミストCVD ,  薄膜成長 ,  メカニズム