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J-GLOBAL ID：201902285541946469   Reference number：19A0798350

Si doping mechanism in Si doped GaAsN

SiドープGaAsNにおけるSiドーピング機構【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Tsukasaki T. (Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Hiyoshi R. (Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Fujita M. (NIT Ichinoseki College, Takanashi, Hagisyo, Ichinoseki-shi, Iwate, Japan) ,  Makimoto T. (Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 514  Page： 45-48  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The Si doping mechanism is sys...

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Thesaurus term： donor ,  Hall effect ,  *silicon ,  nitride ,  activation energy ,  X-Ray Diffraction ,  cluster ,  MBE growth ,  *doping ,  RF plasma

Author keywords (6)： A3. Molecular beam epitaxy ,  B1. GaAsN ,  A1. Electron concentration ,  A1. Electron activation energy ,  A1. Si activation ratio ,  A1. Doping mechanism

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： Si ,  ドープ ,  ドーピング