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J-GLOBAL ID：201902289651953418   Reference number：19A1873436

Observation of dislocations and their arrays in physical vapor transport-grown AlN single-crystal substrate by synchrotron X-ray topography

シンクロトロンX線トポグラフィーによる物理気相輸送成長AlN単結晶基板における転位とそれらのアレイの観察

Author (7)： YAO Yongzhao (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SUGAWARA Yoshihiro (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Yukari (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  OKADA Narihito (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TADATOMO Kazuyuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TAKAHASHI Yumiko (Nihon Univ., Funabashi, JPN) ,  HIRANO Keiichi (High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SC  Page： SCCB29.1-SCCB29.5  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *X-ray diffraction topography ,  synchrotron radiation ,  physical vapor deposition ,  *aluminum nitride ,  single crystal ,  Burgers vector ,  substrate(plate) ,  *dislocation(crystal) ,  dislocation density ,  vapor phase growth ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： synchrotron radiation X ray ,  physical vapor deposition ,  Physical Vapor Deposition ,  *AlN ,  single crystal substrate ,  vapor phase transport method

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (40)：

• S. Inoue, N. Tamari, and M. Taniguchi, Appl. Phys. Lett. 110, 141106 (2017).
• T. Kinoshita et al., Appl. Phys. Express 8, 061003 (2015).
• S. Fujita, Japan. J. Appl. Phys. 54, 030101 (2015).
• Y. Liu and J. Zhang, Physica B 405, 1643 (2010).
• B. Liu, J. Gao, K. Wu, and C. Liu, Solid State Commun. 149, 715 (2009).

Terms in the title (11)： シンクロトロン ,  X線トポグラフィー ,  物理 ,  気相 ,  輸送 ,  成長 ,  AlN ,  単結晶基板 ,  転位 ,  アレイ ,  観察