Art

J-GLOBAL ID：201902290115860468   Reference number：19A1042746

Structural and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown on ion-plated Ga-doped ZnO seed layers by chemical bath deposition and fabrication of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)/ZnO nanorods heterostructures

化学浴堆積によりイオンめっきしたGaドープZnOシード層上に成長させたZnOナノロッドの構造と光ルミネセンス特性およびポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホナート/ZnOナノロッドのヘテロ構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Terasako Tomoaki (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Obara Shohei (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Yagi Masakazu (National Institute of Technology, Kagawa College, 551 Koda, Takuma-cho, Mitoyo, Kagawa 769-1192, Japan) ,  Nomoto Junichi (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan)
Material： Thin Solid Films
Volume： 677  Page： 109-118  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Vertically aligned zinc oxide ...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A1042746&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

Thesaurus term： time dependence ,  ultraviolet radiation ,  dark current ,  *doping ,  voltage ,  *photoluminescence ,  electrical resistivity ,  photocurrent ,  rectification (electric) ,  *Gallium ,  morphology (form) ,  *nanorod ,  *zinc oxide ,  *hetero-structure
Semi thesaurus term： *シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (8)： Chemical bath deposition ,  ZnO ,  Seed layer ,  Ion-plating ,  Nanorods ,  Photoluminescence ,  Poly(3 4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate) ,  Photocurrent

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (11)： 化学浴堆積 ,  イオンめっき ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  シード層 ,  成長 ,  ZnOナノロッド ,  光ルミネセンス ,  ヘテロ構造 ,  作製