浸炭制御方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人あいち国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015127920
Publication number (International publication number)：2017008403
Patent number：6555470
Application date： Jun. 25, 2015
Publication date： Jan. 12, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】メタンガスを含む炭化水素ガスと水分が添加されたキャリアガスとをガス浸炭炉内に導入して浸炭処理を行う際の浸炭制御方法であって、上記浸炭処理時における雰囲気ガス中の水素ガス濃度XH2とメタンガス濃度XCH4とを得る濃度取得工程と、得られた上記水素ガス濃度XH2と上記メタンガス濃度XCH4とに基づいてXCH4/XH22で規定される炉内成分比を算出する算出工程と、算出された上記炉内成分比が予め設定された上記炉内成分比の設定値よりも大きい場合に、上記ガス浸炭炉内に導入される上記炭化水素ガスの流量を減少させ、算出された上記炉内成分比が上記炉内成分比の設定値よりも小さい場合に、上記ガス浸炭炉内に導入される上記炭化水素ガスの流量を増加させるように制御する制御工程と、を有しており、予め設定された上記炉内成分比の設定値は、炉内成分比と表面炭素濃度との間に一次相関が見られる範囲内とされることを特徴とする浸炭制御方法。

IPC (1)：

C23C 8/22 ( 200 6.01)

FI (1)：

C23C 8/22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

ガス浸炭方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-132740 Applicant：学校法人トヨタ学園, 東邦瓦斯株式会社
真空浸炭雰囲気ガス制御システム及びそのシステムに用いられる真空浸炭処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-369907 Applicant：東邦瓦斯株式会社
特開平4-107256

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Cited by examiner (8)

ガス浸炭方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-132740 Applicant：学校法人トヨタ学園, 東邦瓦斯株式会社
真空浸炭雰囲気ガス制御システム及びそのシステムに用いられる真空浸炭処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-369907 Applicant：東邦瓦斯株式会社
特開平4-107256

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

"RELATIONSHIP OF H2O AND CH4 SUPPLY RATES IN HTGR HELIUM TO THE CARBURIZATION OF HASTELLOY-X AND ALL

Cited by examiner (1)

"RELATIONSHIP OF H2O AND CH4 SUPPLY RATES IN HTGR HELIUM TO THE CARBURIZATION OF HASTELLOY-X AND ALL

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