ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015174571
Publication number (International publication number)：2017050485
Patent number：6519792
Application date： Sep. 04, 2015
Publication date： Mar. 09, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】ゲート酸化物を用いた水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法において、前記水素化ダイヤモンド上に原子層堆積(ALD)及び高周波スパッタ堆積(SD)によりそれぞれ形成された、SD-LaAlO3/ALD-Al2O3、SD-Ta2O5/ALD-Al2O3、SD-ZrO2/ALD-Al2O3、および、SD-HfO2/ALD-HfO2からなる群から選択される二層構造からなる前記ゲート酸化物を形成し、180°Cでアニールするステップを含む、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 M , H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-047025 Applicant：学校法人早稲田大学
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-035398 Applicant：日本電信電話株式会社
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-333174 Applicant：日本電信電話株式会社

Show all

Return to Previous Page