回路キャリアの製造方法、回路キャリア、半導体モジュールの製造方法、及び半導体モジュール

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：青木篤 , 三橋真二 , 南山知広 , 伊坪公一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2018539831
Publication number (International publication number)：2019510367
Application date： Feb. 08, 2017
Publication date： Apr. 11, 2019
Summary：

本発明は、半導体部品(90)のための回路キャリア(10)、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法であって、第1の膨張係数を有する少なくとも一つの第1の銅層(20)又は一つの第1の銅合金層と、前記第1の膨張係数よりも小さい第2の膨張係数を有する低膨張率の第2の材料(M2)から作られた少なくとも一つの第2の層(30)とが、150°C〜300°Cの接合温度で、特に低温焼結法によって互いに接合される、ことを特徴とする方法に関する。

Claim (excerpt)：

半導体部品(90)のための回路キャリア(10)、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法であって、第1の膨張係数を有する少なくとも一つの第1の銅層(20)又は第1の銅合金層と、前記第1の膨張係数よりも小さい第2の膨張係数を有する低膨張率の第2の材料(M2)から作られた少なくとも一つの第2の層(30)とが、 150°C〜300°Cの接合温度で、特に低温焼結法によって互いに接合される、ことを特徴とする方法。

IPC (5)：

H01L 23/48 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/52 , C22C 38/00

FI (4)：

H01L23/48 V , H01L25/04 C , H01L21/52 C , C22C38/00 302Z

F-Term (2)：

5F047AA11 , 5F047BA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

金属ナノ粒子を用いた接合方法及び接合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-220890 Applicant：本田技研工業株式会社
半導体パッケージおよびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-024702 Applicant：株式会社東芝
半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-174776 Applicant：株式会社デンソー

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