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J-GLOBAL ID：201003001777678771

半導体パッケージおよびその作製方法

Inventor：
高木 一考

About 高木 一考


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (5)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009024702
Publication number (International publication number)：2010182858
Application date： Feb. 05, 2009
Publication date： Aug. 19, 2010
Summary：
【課題】半導体装置からの発熱を良好に放熱することができ、マイクロ波/ミリ波/サブミリ波帯の高周波に適用可能な半導体パッケージおよびその作製方法を提供する。【解決手段】第1の熱膨張係数を有し所定のパターン形状を有する埋め込み電極30と、埋め込み電極30を内在し、第1の熱膨張係数よりも高い第2の熱膨張係数を有し、かつ埋め込み電極30よりも高い熱伝導率を有するベース電極22とを有する導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置された半導体装置24と、導体ベースプレート200上に半導体装置24に隣接して配置され、第2の熱膨張係数よりも第1の熱膨張係数に相対的に近い第3の熱膨張係数を有する入力回路基板26,出力回路基板28とを備える半導体パッケージおよびその作製方法。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
第1の熱膨張係数を有し所定のパターン形状を有する第1埋め込み金属と、前記第1埋め込み金属を内在し、前記第1の熱膨張係数よりも高い第2の熱膨張係数を有し、かつ前記第1埋め込み金属よりも高い熱伝導率を有するベース金属とを有する導体ベースプレートと、 前記導体ベースプレート上に配置された半導体装置と、 前記導体ベースプレート上に前記半導体装置に隣接して配置され、前記第2の熱膨張係数よりも前記第1の熱膨張係数に相対的に近い第3の熱膨張係数を有する回路基板と を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/02
FI (2)：
H01L23/12 J ,  H01L23/02 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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