III族窒化物材料の平坦な表面の形成

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一 , 津田理
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2018551279
Publication number (International publication number)：2019515860
Application date： Apr. 03, 2017
Publication date： Jun. 13, 2019
Summary：

半導体デバイスを製作する方法であって、基板の上に設けられたマスクを通して第1のIII族窒化物材料の複数の半導体シードを形成するステップと、第2のIII族窒化物半導体材料をシード上で成長させるステップと、複数の離散的なベース要素から密着構造を形成するために成長させた第2の半導体材料を平坦化するステップであって、密着構造は、実質的に平坦な上部表面を有する、ステップとを含む方法。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを製作する方法であって、基板の上に設けられたマスクを通して第1のIII族窒化物材料の複数の半導体シードを形成するステップと、第2のIII族窒化物半導体材料を前記シード上で成長させるステップと、前記複数の離散的なベース要素から密着構造を形成するために前記成長させた第2の半導体材料を平坦化するステップであって、前記密着構造は、実質的に平坦な上部表面を有する、ステップとを含む方法。

IPC (7)：

C30B 29/38 , C30B 25/04 , C23C 16/34 , C23C 16/04 , H01L 21/205 , H01L 29/20 , H01L 29/06

FI (8)：

C30B29/38 D , C30B25/04 , C23C16/34 , C23C16/04 , H01L21/205 , H01L29/20 , H01L29/06 601N , H01L29/06 601L

F-Term (42)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TC12 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2014-556149 Applicant：クナノ・アーベー
マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造とそれから製作されたデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-530713 Applicant：ルミログ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate

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