窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一 , 鈴木守 , 加藤真司 , 津田理
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014556149
Publication number (International publication number)：2015512151
Application date： Feb. 12, 2013
Publication date： Apr. 23, 2015
Summary：

パワーエレクトロニクス向けのダイオードおよびトランジスタなど、様々な半導体デバイスを製造するため、c面上面を有する高品質で離散的なベース要素を成長させるのにGaN系ナノワイヤが使用される。

Claim (excerpt)：

複数の半導体ナノワイヤを基板の上に形成するステップと、半導体体積要素を各ナノワイヤ上に形成するステップと、実質的に平坦な上面を有する複数の離散的なベース要素を形成するため、各体積要素を平坦化するステップと、前記複数のベース要素それぞれの中または上にデバイスを形成するステップとを含む、半導体デバイスを作成する方法。

IPC (17)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/06 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 29/786 , H01L 27/088

FI (17)：

H01L21/205 , H01L21/20 , H01L29/80 H , H01L29/80 E , H01L29/48 D , H01L29/06 601N , H01L29/78 301B , H01L29/78 301Y , H01L29/86 301D , H01L29/86 301F , H01L29/91 F , H01L27/06 102A , H01L29/78 618A , H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/06 301F , H01L27/08 102B

F-Term (102)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF04 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045EE12 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F102GA01 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GS03 , 5F102GS04 , 5F102GV05 , 5F102HC02 , 5F110AA01 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD21 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG42 , 5F140AA01 , 5F140AA29 , 5F140AB06 , 5F140AC02 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140CE02 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LM02 , 5F152LM08 , 5F152LN28 , 5F152LN29 , 5F152LN35 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM10 , 5F152NN03 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN19 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-545523 Applicant：クナノアーベー
半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-054718 Applicant：キヤノン株式会社
III族窒化物半導体基板材料及びデバイスにおけるGaNナノワイヤーのパルス状成長及び応用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-558549 Applicant：エステイーシー.ユーエヌエム

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