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J-GLOBAL ID:201503031098991307

窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一 ,  鈴木 守 ,  加藤 真司 ,  津田 理
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2014556149
Publication number (International publication number):2015512151
Application date: Feb. 12, 2013
Publication date: Apr. 23, 2015
Summary:
パワーエレクトロニクス向けのダイオードおよびトランジスタなど、様々な半導体デバイスを製造するため、c面上面を有する高品質で離散的なベース要素を成長させるのにGaN系ナノワイヤが使用される。
Claim (excerpt):
複数の半導体ナノワイヤを基板の上に形成するステップと、 半導体体積要素を各ナノワイヤ上に形成するステップと、 実質的に平坦な上面を有する複数の離散的なベース要素を形成するため、各体積要素を平坦化するステップと、 前記複数のベース要素それぞれの中または上にデバイスを形成するステップとを含む、半導体デバイスを作成する方法。
IPC (17):
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/088
FI (17):
H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/91 F ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/06 301F ,  H01L27/08 102B
F-Term (102):
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF04 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045EE12 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC02 ,  5F110AA01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD21 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG42 ,  5F140AA01 ,  5F140AA29 ,  5F140AB06 ,  5F140AC02 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140CE02 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LM02 ,  5F152LM08 ,  5F152LN28 ,  5F152LN29 ,  5F152LN35 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152MM10 ,  5F152NN03 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN19 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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