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J-GLOBAL ID：201903008307497941

酸化物半導体化合物、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体

Inventor： 細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  雲見 日出也 ,  金 正煥 ,  中村 伸宏 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  AGC株式会社
Agent (2)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2017006939
Publication number (International publication number)：WO2017150351
Application date： Feb. 23, 2017
Publication date： Sep. 08, 2017
Summary：

ガリウムおよび酸素を含み、光学バンドギャップが3.4eV以上であり、300Kにおけるホール(Hall)測定により得られる電子のホール(Hall)移動度が3cm2/Vs以上である、酸化物半導体化合物。

Claim (excerpt)：

ガリウムおよび酸素を含み、光学バンドギャップが3.4eV以上であり、300Kにおけるホール(Hall)測定により得られる電子のホール(Hall)移動度が3cm2/Vs以上である、酸化物半導体化合物。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04

FI (7)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 626C ,  H01L31/10 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

F-Term (76)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107DD12 ,  3K107DD19 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107FF05 ,  3K107FF06 ,  3K107FF14 ,  3K107FF19 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14 ,  5F849AB01 ,  5F849AB02 ,  5F849BB06 ,  5F849CB05 ,  5F849CB07 ,  5F849CB11 ,  5F849FA05 ,  5F849GA02 ,  5F849XB13 ,  5F849XB15