有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大菅義之 , 野村泰久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018231727
Publication number (International publication number)：2019057727
Application date： Dec. 11, 2018
Publication date： Apr. 11, 2019
Summary：

【課題】標準的な半導体処理技術との整合性を制限されない強誘電体結晶材料を含むメモリセルを提供する。【解決手段】半導体デバイス(メモリセル100)は、反転中心を通る反転対称のない有極性カイラル結晶構造を有する強誘電体結晶材料FE140を含む。強誘電体結晶材料は、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムハフニウム、酸化チタンハフニウム(HfTiOx)、及び酸化シリコンハフニウムからなる群の中から選択され、更に、ニオブ、タンタル、ランタン、ガドリニウム、バナジウム、リン、カリウム、スカンジウム、ルビジウム、セレン、スズ、及びインジウム(In)からなる群の中から選択された少なくとも一種のドーパントを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反転中心を通る反転対称のない有極性カイラル結晶構造を有する強誘電体結晶材料を含む半導体デバイスであって、前記強誘電体結晶材料は、酸化ハフニウム(HfOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化チタン(TiOx)、酸化ジルコニウムハフニウム(HfZrOx)、酸化チタンハフニウム(HfTiOx)、及び酸化シリコンハフニウム(HfSiOx)からなる群の中から選択され、前記強誘電体結晶材料は、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、ランタン(La)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、リン(P)、カリウム(K)、スカンジウム(Sc)、ルビジウム(Rb)、セレン(Se)、スズ(Sn)、及びインジウム(In)からなる群の中から選択された少なくとも一種のドーパントを更に含む、半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 27/115 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L27/11507 , H01L21/316 X

F-Term (23)：

5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BH04 , 5F058BJ04 , 5F083FR02 , 5F083GA01 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR21 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

多層下部電極及び多層上部電極を含む強誘電体構造物及びそれの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-208855 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置および誘電体膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-197703 Applicant：株式会社東芝
半導体装置および誘電体膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-140431 Applicant：株式会社東芝

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