半導体装置および誘電体膜

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013197703
Publication number (International publication number)：2015065251
Application date： Sep. 25, 2013
Publication date： Apr. 09, 2015
Summary：

【課題】薄膜化しても強誘電性またはフェリ誘電性を保持することができる誘電体膜を備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の導電層20と、第2の導電層22と、第1の導電層20と第2の導電層22との間に設けられ、蛍石型の結晶を含み、結晶の原型単位胞の3つの軸のうち、反転対称性がない方向の軸をc軸、異なる配置位置の陰イオンが形成する2種の原子面の積層方向をa軸、残りをb軸とし、原型単位胞のa軸の軸長をa、b軸の軸長をb、c軸の軸長をcとし、媒介変数をpとし、x、y、z、u、v、wを媒介変数pを用いて表される値とした場合に、a、b、cが所定の関係を充足し、陽イオンサイトにはHf(ハフニウム)またはZr(ジルコニウム)の少なくともいずれか一方が入り、陰イオンサイトにはO(酸素)が入る誘電体膜30と、を備える。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられ、蛍石型の結晶を含み、前記結晶の原型単位胞の3つの軸のうち、反転対称性がない方向の軸をc軸、異なる配置位置の陰イオンが形成する2種の原子面の積層方向をa軸、残りをb軸とし、前記原型単位胞の前記a軸の軸長をa、前記b軸の軸長をb、前記c軸の軸長をcとし、媒介変数をpとし、x、y、z、u、v、wを媒介変数pを用いて表される値とした場合に、下記式(1)〜(13)を充足し、陽イオンサイトにはHf(ハフニウム)またはZr(ジルコニウム)の少なくともいずれか一方が入り、前記陰イオンサイトにはO(酸素)が入る誘電体膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。 x=0.0000077293×p×p-0.00091484×p+0.50556 ・・・(1) y=0.0000089659×p×p-0.00082246×p+0.52512 ・・・(2) z=-0.000012625×p×p-0.00045149×p+0.50696 ・・・(3) u=-0.000042665×p×p+0.00097971×p+1.0028 ・・・(4) v=-0.00032701×p+0.96306 ・・・(5) w=-0.000042194×p×p+0.00068404×p+0.96543 ・・・(6) -0.0074≦x-a≦0.026 ・・・(7) -0.0075≦y-b≦0.026 ・・・(8) -0.0056≦z-c≦0.006 ・・・(9) -0.063≦u-c÷a≦0.0055 ・・・(10) -0.031≦v-a÷b≦0.0024 ・・・(11) -0.077≦w-c÷b≦0.006 ・・(12) 1≦p≦40 ・・・(13)

IPC (3)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , C01G 27/02

FI (3)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 444A , C01G27/02

F-Term (27)：

4G048AA02 , 4G048AB01 , 4G048AB05 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 5F083FR02 , 5F083FR06 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083HA06 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083PR05 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

強誘電体メモリトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-054878 Applicant：シャープ株式会社
SBT薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-224069 Applicant：日本電信電話株式会社
ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-236002 Applicant：国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社

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