半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018156411
Publication number (International publication number)：2019041107
Application date： Aug. 23, 2018
Publication date： Mar. 14, 2019
Summary：

【課題】p型半導体層、n型半導体層およびi型半導体層間の良好な接合を有し、半導体特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体を主成分として含むn型半導体層4と、i型半導体層3と、p型半導体層1とを少なくとも含む半導体装置であって、第1の半導体が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含有する酸化物半導体である半導体装置を製造し、得られた半導体装置をパワーデバイス等に用いる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型半導体層と、i型半導体層と、p型半導体層とを少なくとも含む半導体装置であって、前記n型半導体層が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含有する酸化物半導体を主成分とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/872 , H01L 29/24 , H01L 29/06 , H01L 21/329 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/368 , H01L 21/365

FI (11)：

H01L29/86 301D , H01L29/24 , H01L29/86 301F , H01L29/86 301E , H01L29/06 301G , H01L29/06 301V , H01L29/86 301P , H01L29/91 K , H01L21/368 Z , H01L29/91 F , H01L21/365

F-Term (22)：

5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045EE02 , 5F053AA06 , 5F053BB09 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053KK02 , 5F053KK10 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053RR07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-080227 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-236876 Applicant：株式会社東芝
結晶性積層構造体、半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-070468 Applicant：株式会社FLOSFIA

Cited by examiner (3)

p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-080227 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-236876 Applicant：株式会社東芝
結晶性積層構造体、半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-070468 Applicant：株式会社FLOSFIA

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