光電変換素子、光センサ、発電装置、及び光電変換方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：堀田実 , 野村俊博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018000543
Publication number (International publication number)：2019121687
Application date： Jan. 05, 2018
Publication date： Jul. 22, 2019
Summary：

【課題】光電変換部への光入射により生じたキャリア(電子又は正孔)の散乱を少なくし、当該キャリアの移動による電流を効率よく光電変換部から取り出せる技術を提供する。【解決手段】光電変換素子10は、極性材料からなりp-n接合を有しない光電変換部1と、光電変換部1に設けられ間隔をおいて配置された第1及び第2の電極2,3とを備える。光電変換部1の構造は、空間反転対称性が破れている。第1及び第2の電極2,3は、ポテンシャル障壁を実質的に生じさせない金属材料からなる。ポテンシャル障壁は、光電変換部1にとっての多数キャリアが電極2,3から光電変換部1へ移動することを妨げるものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

極性材料からなり、p-n接合を有しない光電変換部と、前記光電変換部に設けられ、間隔をおいて配置された第1及び第2の電極とを備え、前記光電変換部の構造は、空間反転対称性が破れており、前記第1及び第2の電極は、ポテンシャル障壁を実質的に生じさせない金属材料からなり、前記ポテンシャル障壁は、前記光電変換部にとっての多数キャリアが前記電極から前記光電変換部へ移動することを妨げるものである、光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/025 , H01L 31/10

FI (2)：

H01L31/04 320 , H01L31/10 Z

F-Term (19)：

5F151AA07 , 5F151AA08 , 5F151AA09 , 5F151AA11 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F849AA20 , 5F849AB01 , 5F849AB09 , 5F849AB11 , 5F849BA01 , 5F849FA04 , 5F849FA05 , 5F849KA11 , 5F849KA20 , 5F849XA01 , 5F849XB13 , 5F849XB17 , 5F849XB18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光電変換素子及び太陽電池セル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-067944 Applicant：セイコーエプソン株式会社
抵抗変化型不揮発性メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-141308 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
強誘電体キャパシタおよび電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-183094 Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Rectifying current-voltage characteristics of BiFeO3/Nb-doped SrTiO3 heterojunction

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