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J-GLOBAL ID：202002210050735327   Reference number：20A0325571

Analysis of Energy Structure for Graphitic Carbon Nitride Single-crystal Film and Its Application to Electron Device

グラファイト状窒化炭素単結晶膜のエネルギー構造解析と電子素子応用

Author (1)： URAKAMI NORIYUKI (信州大 工)
Material： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
Issue： 33 12月  Page： 151-158  Publication year： Dec. 2019 
JST Material Number： L5491A  ISSN： 0919-3383  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： graphite ,  *carbon compound ,  *nitride ,  band gap ,  photoluminescence ,  photolithography ,  excitation(physics) ,  relaxation phenomenon
Semi thesaurus term： carrier relaxation ,  carrier excitation ,  *band-gap energy ,  *CNx

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Reference (6)：

• Y. Zhang, Q. Pan, G. Chai, M. Liang, G. Dong, Q. Zhang, and J. Qiu, Sci. Rep. 3, 1943 (2013).
• 安田和志, 青山宏明, 羽渕仁恵, 滝川浩史, 第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, 20p-222-22 (2018).
• Y. Yuan, L. Zhang, J. Xing, M. I. B. Utama, X. Lu, K. Du, Y. Li, X. Hu, S. Wang, A. Genc, R. Dunin-Borkowski, J. Arbiol, and Q. Xiong, Nanoscale 7, 12343 (2015).
• 芝田悠将, 来馬英樹, 吉岡諒, 西中浩之, 吉本昌広, 第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, 15a-P11-9 (2016).
• C. Karcher, K. Jandieri, B. Kunert, R. Fritz, M. Zimprich, K. Volz, W. Stolz, F. Gebhard, S. D. Baranovskii, and W. Heimbrodt, Phys. Rev. B82, 245309 (2010).

Terms in the title (6)： グラファイト状窒化炭素 ,  単結晶膜 ,  エネルギー ,  構造解析 ,  電子素子 ,  応用