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J-GLOBAL ID：202002215770362550   Reference number：20A2738944

Investigation of Photo-Initiators for Ultra-Violet Light Cured Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers of Organic Thin Film Transistors

有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合における光重合開始剤の検討

Author (4)： HATANO KOSUKE (和歌山大学 システム工学部) ,  NAKAHARA YOSHIO (和歌山大学 システム工学部) ,  UNO KAZUYUKI (和歌山大学 システム工学部) ,  TANAKA ICHIRO (和歌山大学 システム工学部)
Material： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
Volume： 69  Issue： 10  Page： 712-716(J-STAGE)  Publication year： 2020 
JST Material Number： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *FET ,  organic semiconductor ,  *polysilsesquioxane ,  *gate dielectric film ,  *polyacene ,  *dielectric thin film ,  *organosilicon compound ,  *photopolymerization ,  photocrosslinking ,  *photoinitiator ,  *ultraviolet radiation ,  Time ,  hardening ,  *sensitizer ,  scale down ,  carrier mobility ,  positive hole ,  time companding ,  hole mobility
Semi thesaurus term： gate dielectric ,  photo crosslinking ,  hardening time ,  organic thin-film transistor

Author keywords (1)： Polysilsesquioxane Gate dielectric Pentacene Thin film transistors UV-light curing photo-initiator hole mobility

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Inorganic polymers  (YH07140R) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Pentacene

Reference (27)：

• 1) S. R. Forrest, “The path to ubiquitous and low-cost organic electronic appliances on plastic”, Nature, Vol. 428, No. 6986, pp.911-918 (2004).
• 2) H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik and W. Weber, “High-mobility polymer gate dielectric pentacene thin film transistors”, Journal of Applied Physics, Vol.92, Issue 9, pp.5259-5263 (2002).
• 3) Y. Kato, S. Iba, R. Teramoto, T. Sekitani, T. Someya, H. Kawaguchi and T. Sakurai, “High mobility of pentacene field-effect transistors with polyimide gate dielectric layers”, Applied Physics Letters, Vol.84, Issue 19, pp.3789-3791 (2004).
• 4) S. Y. Yang, S. H. Kim, K. Shin, H. Jeon and C. E. Park, “Low-voltage pentacene field-effect transistors with ultrathin polymer gate dielectrics”, Applied Physics Letters, Vol.88, Issue 17, pp.173507-1-173507-3 (2006).
• 5) Z. Bao, V. Kuck, J. A. Rogers and M. A. Paczkowski, “Silsesquioxane resins as high-performance solution processible dielectric materials for organic transistor applications”, Advanced Functional Materials, Vol.12, No.8, pp.526-531 (2002).

Terms in the title (6)： 有機薄膜トランジスタ ,  ポリシルセスキオキサン ,  ゲート絶縁膜 ,  紫外線 ,  重合 ,  光重合開始剤