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J-GLOBAL ID：202002218421588661   Reference number：20A2258461

Elimination of the Low Resistivity of Si Substrates in GaN HEMTs by Introducing a SiC Intermediate and a Thick Nitride Layer

SiC中間層と厚い窒化物層を導入することによるGaN HEMTにおけるSi基板の低抵抗率の除去【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： Bose Arijit (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Biswas Debaleen (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Hishiki Shigeomi (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Ouchi Sumito (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Kitahara Koichi (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Kawamura Keisuke (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Wakejima Akio (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 41  Issue： 10  Page： 1480-1483  Publication year： 2020 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We report the effect of a thic...

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Thesaurus term： mobility(ratio) ,  metal oxide ,  *silicon carbide ,  HF ,  stray capacity ,  circuit constant ,  chemical vapor deposition ,  MOCVD ,  *HEMT
Semi thesaurus term： ゲート長 ,  *シリコンウエハ ,  ドレイン電流 ,  3C-SiC ,  *GaN HEMT ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： SiC ,  中間層 ,  窒化物層 ,  GaN ,  HEMT ,  Si基板 ,  低抵抗