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J-GLOBAL ID：202002221898126254   Reference number：20A1985541

Polarization/charge coupling in Si ferroelectric FET and its impact on memory characteristics

Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響

Author (5)： TOPRASERTPONG Kasidit (東大 大学院工学系研究科) ,  LIN Zaoyang (東大 大学院工学系研究科) ,  LEE Tsung-En (東大 大学院工学系研究科) ,  TAKENAKA MITSURU (東大 大学院工学系研究科) ,  TAKAGI SHIN'ICHI (東大 大学院工学系研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 127(ICD2020 1-13)  Page： 3-7 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 30, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  polarization(phenomenon) ,  electric charge ,  MOSFET ,  *gate dielectric film ,  dielectric polarization ,  interaction ,  *memory element ,  capacitance-voltage characteristic
Semi thesaurus term： *ferroelectric FET ,  ferroelectric polarization

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (15)：

• T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, and U. Böttger, Ferroelectricity in hafnium oxide thin films, Appl. Phys. Lett., vol.99, no.10, p. 102903, Sep. 2011.
• J. Müller et al., Ferroelectricity in HfO₂ enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG, 2012 Symposium on VLSI Technology, pp.25-26, Honolulu, HI, USA, Jun. 2012.
• C. H. Cheng and A. Chin, Low-voltage steep turn-on pMOSFET using ferroelectric high-κ gate dielectric, IEEE Electron Device Lett., vol.35, no.2, pp.274-276, Feb. 2014.
• M. H. Lee, J.-C. Lin, Y.-T. Wei, C.-W. Chen, W.-H. Tu, H.-K. Zhuang, and M. Tang, Ferroelectric negative capacitance hetero-tunnel field-effect-transistors with internal voltage amplification, 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 104-107, Washington, DC, USA, Dec. 2013.
• S. Dünkel et al., A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyond, 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 485-488, San Francisco, CA, USA, Dec. 2017.

Terms in the title (5)： Si ,  強誘電体FET ,  分極 ,  電荷 ,  カップリング