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J-GLOBAL ID：202002223452692760   Reference number：20A0838887

Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates

自立GaN基板上に成長させたドリフト層における欠陥形成に及ぼすウエハオフアングルの影響【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Shiojima Kenji (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, 910-8507, Japan) ,  Horikiri Fumimasa (Sciocs Company Ltd., Hitachi-Shi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Narita Yoshinobu (Sciocs Company Ltd., Hitachi-Shi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Yoshida Takehiro (Sciocs Company Ltd., Hitachi-Shi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Mishima Tomoyoshi (Research Centre for Micro-Nano Technology, Hosei University, 3-11-15 Midori-cho, Koganei, Tokyo, 184-0003, Japan)
Material： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys)
Volume： 257  Issue： 4  Page： e1900561  Publication year： 2020 
JST Material Number： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The effect of the surface off-...

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Thesaurus term： spectrum ,  *drift(migration) ,  crystal growth ,  point defect ,  deep level transient spectroscopy ,  voltage ,  *gallium nitride ,  angular dependence ,  characterization ,  compensator(electric) ,  microscopy ,  deep level ,  carrier density
Semi thesaurus term： 非接触 ,  *欠陥形成 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： deep-level transient microscopy ,  GaN ,  point defects ,  wafer off-angle

JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： 自立 ,  GaN ,  成長 ,  ドリフト ,  欠陥形成