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J-GLOBAL ID：202002235903488810   Reference number：20A1687182

Mapping of large structural defects in SiC Schottky contacts using internal photoemission microscopy

内部光電子放出顕微鏡法を用いたSiC Schottky接触における大きな構造欠陥のマッピング【JST・京大機械翻訳】

Author (2)： Shiojima Kenji (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, 910-8507, Japan) ,  Kato Masashi (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso, Showa, Nagoya, Aichi, 466-8555, Japan)
Material： Materials Science in Semiconductor Processing  (Mater Sci Semicond Process)
Volume： 118  Page： Null  Publication year： 2020 
JST Material Number： W1055A  ISSN： 1369-8001  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial la...

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Thesaurus term： Schottky barrier ,  *photoemission ,  photocurrent ,  voltage ,  electric current ,  insulating material ,  current-voltage characteristic ,  *silicon carbide ,  *microscopy ,  screw dislocation ,  stacking fault
Semi thesaurus term： 結晶品質 ,  4H-SiC ,  6H-SiC ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： SiC ,  Schottky contact ,  Scanning internal photoemission microscopy ,  Crystal defect

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (6)： 光電子放出 ,  顕微鏡法 ,  SiC ,  Schottky接触 ,  構造欠陥 ,  マッピング