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J-GLOBAL ID：202002245356677249   Reference number：20A0513982

Simple Photoelectrochemical Etching for Recess Gate GaN HEMT

コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製

Author (9)： HORIKIRI FUMIMASA (サイオクス) ,  FUKUHARA NOBORU (サイオクス) ,  TOGUCHI MASACHIKA (北大) ,  MIWA KAZUKI (北大) ,  NARITA YOSHINOBU (サイオクス) ,  ICHIKAWA OSAMU (サイオクス) ,  ISONO RYOTA (サイオクス) ,  TANAKA TAKESHI (サイオクス) ,  SATO TAKETOMO (北大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 119  Issue： 408(ED2019 93-105)  Page： 25-28  Publication year： Jan. 24, 2020 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： photo-electrochemistry ,  *etching ,  *HEMT ,  *device structure ,  gallium nitride ,  damage and injury ,  ultraviolet irradiation ,  substrate(plate) ,  oxidizing agent ,  anodic oxidation ,  electrolytic solution(electrochemistry)
Semi thesaurus term： SiC substrate ,  *recessed structure ,  *phonoelectrochemical etching

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• W. Saito, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, Theoretical limit estimation of lateral wide band-gap conductor power-switching device, Solid-State Electron., vol.48, no.9, pp.1555-1562, September 2004.
• N. M. Shrestha, Y. Li, T. Suemitsu, and S. Samukawa, Electrical characteristic of A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors with recess gate structure, IEEE Trans. Electron Devices, vol.66, no.4, pp.1694-1698, April 2019.
• S. Yamada, M. Omori, H. Sakurai, Y. Osada, R. Kamimura, T. Hashizume, J. Suda, and T. Kachi, Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching, Appl. Phys. Express, vol.13, no.1, pp.016505-1-016505-5, Jan. 2020.
• D. Zhuang, and J. H. Edgar, Wet etching of GaN, AIN, and SiC: a review, Mater. Sci. Eng. R vol.48, pp.1-46, Jan. 2005.
• M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Room-temperature photoenhanced wet etching of GaN, Appl. Phys. Lett., vol.68, no.11, pp.1531-1533, March (1996).

Terms in the title (6)： コンタクト ,  レス ,  光電気化学 ,  エッチング ,  HEMT ,  作製