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J-GLOBAL ID：202002246201321379   Reference number：20A0513987

Operation Principle and Structure of Normally-off Floating Gate GaN HEMT with Injection Gate

注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造

Author (11)： NAGUMO KENJI (東北大 大学院工学研究科) ,  KIMOTO DAIKI (東北大 大学院工学研究科) ,  SUWA TOMOYUKI (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ) ,  TERAMOTO AKINOBU (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ) ,  TERAMOTO AKINOBU (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  SHIROTA RIICHIRO (交通大) ,  TAKATANI SHIN'ICHIRO (交通大) ,  KURODA RIHITO (東北大 大学院工学研究科) ,  KURODA RIHITO (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ) ,  SUGAWA SHIGETOSHI (東北大 大学院工学研究科) ,  SUGAWA SHIGETOSHI (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 119  Issue： 408(ED2019 93-105)  Page： 55-58  Publication year： Jan. 24, 2020 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *HEMT ,  floating gate ,  *carrier injection ,  principle ,  circuit characteristic ,  gate dielectric film ,  structural design
Semi thesaurus term： *GaN HEMT ,  operating principle ,  normally off

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• M. Meneghini, G. Meneghesso, and E. Zanoni, Power GaN Devices. Cham: Springer International Publishing, 2017.
• Applied Materials Inc., ′′Power Struggle: As Mobile Systems Offer Additional MEMS Sensors, Power is a Primary Challenge,′′Nanochip Fab Solutions, vol. 8, no. 2, pp. 6-9, 2013.
• W. Saito, et al., ′′Recessed-Gate Structure Approach Toward Normally Electronics Applications,′′ IEEE, vol.53, no.2, pp.356-362 2006.
• Y. Uemoto, et al., ′′Gate injection transistor (GIT) - A normally-off A1GaN/GaN power transistor using conductivity modulation,′′ IEEE, vol.54, no.12, pp.3393-3399,2007.
• T. Kikkawa, et al., ′′600 V JEDEC-Qualified Highly Reliable GaN HEMTs on Si Substrates,′′ Technical Digest, IEDM, p2.6.1-2.6.4 2014.

Terms in the title (5)： 注入 ,  ゲート ,  GaN ,  HEMT ,  動作原理