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J-GLOBAL ID：202002259126475842   Reference number：20A1746630

Growth mechanism of α-Ga₂O₃ on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions

アセチル化ガリウム源溶液を用いたミスト化学蒸着によるサファイア基板上のα-Ga_2O_3の成長機構【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Uno Kazuyuki (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Ohta Marika (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Tanaka Ichiro (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 117  Issue： 5  Page： 052106-052106-5  Publication year： 2020 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： α-Ga₂O₃ ...

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Thesaurus term： sun ,  thin film ,  *Gallium ,  Acetylation ,  metastable phase ,  ligand exchange ,  gallium oxide ,  *chemical vapor deposition ,  *mist (pollutant) ,  thin film growth ,  impurity concentration ,  *sapphire substrate ,  high quality ,  oxygen atom ,  mist CVD
Semi thesaurus term： 光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： アセチル化 ,  ガリウム ,  溶液 ,  ミスト ,  化学蒸着 ,  サファイア基板 ,  成長