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J-GLOBAL ID：202002260530039420   Reference number：20A2238149

Analytical evaluation of 2DEG depletion voltage in polarization junction substrate

分極接合基板における2DEG枯渇電圧の解析的導出

Author (7)： MATSUHASHI TAIHEI (東京工大) ,  HOSHII TAKUYA (東京工大) ,  OKITA HIROAKI (東京工大) ,  NAKAJIMA AKIRA (産業技術総合研) ,  KAKUSHIMA KUNIYUKI (東京工大) ,  WAKABAYASHI HITOSHI (東京工大) ,  TSUTSUI KAZUO (東京工大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.13p-PA9-18  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： interface(surface) ,  condenser(capacitor) ,  optimization ,  *voltage ,  electric charge ,  *polarization(phenomenon) ,  Fermi level ,  electric charge distribution ,  P-type semiconductor ,  carrier density ,  two dimension ,  depletion layer ,  gallium nitride ,  *two dimensional electron gas ,  band gap
Semi thesaurus term： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 分極 ,  2DEG ,  枯渇 ,  解析 ,  導出