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J-GLOBAL ID：202002270080356465   Reference number：20A1236065

Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application

強誘電体ゲート絶縁体TFT用に溶液プロセスで作製したイットリウムドープ二酸化ハフニウム-ジルコニウム薄膜の電気特性

Author (3)： Mohit (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Haga Ken-ichi (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Tokumitsu Eisuke (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： SM  Page： SMMB02 (9pp)  Publication year： Jul. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  gate dielectric film ,  thin film transistor ,  treatment ,  *yttrium ,  *doping ,  *hafnium compound ,  *zirconium compound ,  *metal oxide ,  platinum ,  electrode ,  indium tin oxide ,  annealing(heat treatment) ,  ferroelectricity ,  hysteresis ,  capacitance-voltage characteristic ,  curve
Semi thesaurus term： *ferroelectric field effect transistor ,  TFT ,  solution processing ,  上部電極 ,  ITO ,  anneal treatment ,  ferroelectric property ,  polarization hysteresis ,  butterfly curve ,  memory window

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (12)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁体 ,  TFT ,  溶液 ,  プロセス ,  作製 ,  イットリウム ,  ドープ ,  酸化ハフニウム ,  ジルコニウム ,  薄膜 ,  電気特性