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J-GLOBAL ID：202002283817262844   Reference number：20A2237698

Understanding local structure of Cr₂Ge₂Te₆ phase change material for non-volatile memory application

不揮発性メモリ用Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造の解明

Author (11)： HATAYAMA SHOGO (東北大 工) ,  YI Shuang (東北大 工) ,  FONS Paul (AIST) ,  FONS Paul (JASRI) ,  SAITO YUTA (AIST) ,  KOLOBOV Alexander V. (AIST) ,  KOLOBOV Alexander V. (ゲルツェン大) ,  KOBAYASHI KEISUKE (高知大) ,  SHINDO SATOSHI (東北大 工) ,  ANDO DAISUKE (東北大 工) ,  SUTO YUJI (東北大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.13p-A201-3  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： crystallization ,  *phase transition ,  electric current ,  *Chromium ,  *Tellurium ,  metastable phase ,  retention volume ,  amorphous state ,  *nonvolatile memory ,  EXAFS ,  carrier generation ,  coordination number ,  amorphization ,  local structure
Semi thesaurus term： 結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (3)： 不揮発性メモリ ,  相変化材料 ,  局所構造