Art

J-GLOBAL ID：202002287150454379   Reference number：20A1236132

Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation

バンドギャップエネルギー以上及びサブバンドギャップエネルギー励起により解析した自立n-GaN層における深い準位に関連した電荷移動過程

Author (5)： Uehara Daisuke (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Kikuchi Moe (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Ma Bei (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Miyake Hideto (Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, 514-8507, Japan) ,  Ishitani Yoshihiro (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 13  Issue： 6  Page： 061003 (5pp)  Publication year： Jun. 2020 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： energy ,  band gap ,  membrane and film ,  *gallium nitride ,  *deep level ,  charge transfer ,  epitaxy ,  *photoluminescence ,  optical pumping ,  quantum transition ,  recombination (connection) ,  band structure ,  band gap energy ,  sub-bandgap ,  free standing film ,  *time resolved photoluminescence ,  band edge
Semi thesaurus term： hydride vapor-phase epitaxy ,  optical pumping ,  radiative transition ,  band edge

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (9)： バンドギャップエネルギー ,  サブ ,  励起 ,  解析 ,  自立 ,  GaN ,  深い準位 ,  電荷 ,  移動過程